1、存儲器(qì)價格轉升為(wèi)跌 大(dà)廠(chǎng)延遲産能(néng)擴張計(jì)劃
      通(tōng)用(yòng)存儲器(qì)兩大(dà)主力産品DRAM和(hé)NAND Flash價格在2018年(nián)呈現(xiàn)前高(gāo)後低(dī)、前漲後跌态勢。綜合集邦咨詢報(bào)告，2018年(nián)第一(yī)季度全球NAND Flash市(shì)場(chǎng)受傳統淡季影(yǐng)響，一(yī)度出現(xiàn)供過于求的(de)現(xiàn)象，銷售單價出現(xiàn)松動，第二季度開(kāi)始出現(xiàn)15%～20%的(de)跌幅，預計(jì)2019年(nián)上(shàng)半年(nián)跌勢難止，第一(yī)季度将續跌10%。DRAM的(de)情況相(xiàng)對(duì)較好(hǎo)，價格反轉出現(xiàn)在2018年(nián)第四季度，平均銷售單價出現(xiàn)8%的(de)跌幅，預計(jì)2019年(nián)第一(yī)季度跌幅将進一(yī)步擴大(dà)。
      點評：從(cóng)2017年(nián)延續至今的(de)半導體(tǐ)産業(yè)繁榮很(hěn)大(dà)程度得(de)益于存儲器(qì)的(de)價格上(shàng)漲。随著(zhe)DRAM和(hé)NAND Flash雙雙轉升為(wèi)跌，本輪矽周期也(yě)将進入下(xià)行(xíng)階段。可(kě)以預見(jiàn)，未來(lái)一(yī)段時(shí)期業(yè)內(nèi)廠(chǎng)商将縮減資本支出，減緩擴産計(jì)劃，開(kāi)始考慮過冬事(shì)宜了(le)。此前，一(yī)些(xiē)IC企業(yè)一(yī)時(shí)乘著(zhe)“風(fēng)口”，實現(xiàn)了(le)快(kuài)速起飛(fēi)。現(xiàn)在，“風(fēng)勢”即将減弱，能(néng)否安全著(zhe)陸将是(shì)一(yī)項重大(dà)考驗，同時(shí)這(zhè)也(yě)是(shì)對(duì)前段時(shí)間(jiān)中國(guó)發展半導體(tǐ)産業(yè)取得(de)成果的(de)一(yī)個(gè)考驗。

      2、華虹無錫項目啓動建設 特色工(gōng)藝成發展重點
      2018年(nián)3月(yuè)2日(rì)，華虹無錫集成電(diàn)路(lù)研發和(hé)制(zhì)造基地(dì)項目舉行(xíng)開(kāi)工(gōng)儀式。該項目占地(dì)約700畝，總投資100億美(měi)元，一(yī)期項目總投資約25億美(měi)元，計(jì)劃建設一(yī)條工(gōng)藝等級90～65納米、月(yuè)産能(néng)約4萬片的(de)12英寸特色工(gōng)藝集成電(diàn)路(lù)生(shēng)産線，支持5G和(hé)物(wù)聯網等新興領域的(de)應用(yòng)。華虹無錫基地(dì)項目将分(fēn)期建設數(shù)條12英寸集成電(diàn)路(lù)生(shēng)産線。首期項目實施後，将适時(shí)啓動第二條生(shēng)産線建設。
      點評：特色工(gōng)藝的(de)重要(yào)性日(rì)漸凸顯。物(wù)聯網市(shì)場(chǎng)是(shì)半導體(tǐ)業(yè)的(de)殺手級應用(yòng)，不(bù)需要(yào)依賴先進工(gōng)藝制(zhì)程，其産品設計(jì)和(hé)制(zhì)程模式在成熟工(gōng)藝制(zhì)程下(xià)将非常匹配中國(guó)企業(yè)。對(duì)于中國(guó)半導體(tǐ)公司來(lái)說(shuō)，在工(gōng)藝平台開(kāi)發之初，就(jiù)不(bù)能(néng)把力量僅僅集中在标準工(gōng)藝上(shàng)。除華虹無錫項目外(wài)，2018年(nián)中芯國(guó)際也(yě)在紹興啓動建設一(yī)條8英寸生(shēng)産線，面向微(wēi)機(jī)電(diàn)(MEMS)和(hé)功率器(qì)件(jiàn)集成電(diàn)路(lù)領域。

      3、阿裡(lǐ)成立“平頭哥(gē)” 進軍芯片設計(jì)行(xíng)業(yè)
      在2018雲栖大(dà)會(huì)上(shàng)，阿裡(lǐ)巴巴CTO、達摩院院長(cháng)張建鋒宣布，成立平頭哥(gē)半導體(tǐ)有(yǒu)限公司進軍集成電(diàn)路(lù)産業(yè)，計(jì)劃于2019年(nián)4月(yuè)發布第一(yī)款神經網絡芯片。過去(qù)幾年(nián)中，阿裡(lǐ)一(yī)直在芯片領域進行(xíng)布局，投資了(le)多(duō)家(jiā)頗具競争力的(de)芯片公司，包括寒武紀、BarefootNetworks、深鑒、耐能(néng)Kneron、翺捷科(kē)技(jì)ASR，并于2018年(nián)4月(yuè)全資收購(gòu)嵌入式CPU IP公司中天微(wēi)。
      點評：2018年(nián)國(guó)內(nèi)集成電(diàn)路(lù)領域投資熱(rè)潮不(bù)斷，不(bù)同領域的(de)玩(wán)家(jiā)均有(yǒu)進軍集成電(diàn)路(lù)産業(yè)之勢，其中包括了(le)互聯網公司阿裡(lǐ)、百度，家(jiā)電(diàn)廠(chǎng)商格力、創維，房(fáng)地(dì)産公司恒大(dà)、萬業(yè)等巨頭。作(zuò)為(wèi)資本密集、人(rén)才密集、技(jì)術(shù)密集的(de)行(xíng)業(yè)，集成電(diàn)路(lù)要(yào)想真正發展起來(lái)，需要(yào)大(dà)量新鮮血液的(de)注入，隻是(shì)圍在一(yī)個(gè)小(xiǎo)圈子(zǐ)裡(lǐ)面，永遠(yuǎn)發展不(bù)好(hǎo)。但(dàn)需要(yào)注意的(de)是(shì)，資本永遠(yuǎn)具有(yǒu)兩面性，它可(kě)以把立于風(fēng)口的(de)“豬”吹上(shàng)天，也(yě)可(kě)以在風(fēng)停的(de)時(shí)候把“豬”摔死。

      4、紫光(guāng)量産32層3D NAND 存儲芯片“零”突破
      2018年(nián)，紫光(guāng)集團量産32層3D NAND Flash芯片。閃存芯片可(kě)廣泛應用(yòng)于電(diàn)腦(nǎo)、手機(jī)、監控、數(shù)據中心等領域，未來(lái)還(hái)将用(yòng)于無人(rén)駕駛、機(jī)器(qì)學習(xí)、人(rén)工(gōng)智能(néng)等方面，是(shì)集成電(diàn)路(lù)關鍵産品之一(yī)。我國(guó)在存儲芯片領域長(cháng)期依賴于國(guó)外(wài)。紫光(guāng)集團從(cóng)2014年(nián)啓動3D NAND項目的(de)研發，32層産品各項指标達到(dào)預期要(yào)求，實現(xiàn)了(le)中國(guó)存儲器(qì)産業(yè)零的(de)突破。
      點評：紫光(guāng)集團開(kāi)發的(de)32層3D NAND芯片各項指标已經達到(dào)預期要(yào)求，是(shì)國(guó)産3D NAND芯片向著(zhe)産業(yè)化(huà)道(dào)路(lù)邁出的(de)關鍵一(yī)步。這(zhè)是(shì)紫光(guāng)集團耗資10億美(měi)元，1000人(rén)團隊曆時(shí)2年(nián)研發成功的(de)中國(guó)第一(yī)顆3D NAND芯片，設計(jì)水(shuǐ)平現(xiàn)已達到(dào)國(guó)內(nèi)領先水(shuǐ)平，使中國(guó)進入全球存儲芯片第二梯隊。

      5、北(běi)方華創收購(gòu)Akrion 豐富清洗設備産品線
      2018年(nián)1月(yuè)，北(běi)方華創宣布已完成對(duì)美(měi)國(guó)Akrion Systems LLC的(de)收購(gòu)，交易金(jīn)額為(wèi)1500萬美(měi)元。Akrion在精密清洗技(jì)術(shù)方面擁有(yǒu)多(duō)年(nián)的(de)技(jì)術(shù)積累和(hé)客戶基礎。該項收購(gòu)将拓展北(běi)方華創在清洗機(jī)設備領域的(de)産銷體(tǐ)系，豐富清洗機(jī)設備的(de)産品線，實現(xiàn)互補。
      點評：受外(wài)部大(dà)環境影(yǐng)響，2018年(nián)中國(guó)在半導體(tǐ)領域的(de)國(guó)際并購(gòu)幾乎停擺。北(běi)方華創能(néng)夠成功完成這(zhè)項交易，殊為(wèi)不(bù)易。本次并購(gòu)讓北(běi)方華創的(de)産業(yè)布局更加全面，可(kě)為(wèi)半導體(tǐ)、新能(néng)源、新材料等領域提供全方位整體(tǐ)解決方案。

      6、台積電(diàn)南(nán)京工(gōng)廠(chǎng)量産出貨 大(dà)陸代工(gōng)廠(chǎng)面臨競争壓力
      2018年(nián)5月(yuè)2日(rì)台積電(diàn)南(nán)京12英寸廠(chǎng)實現(xiàn)首批16納米晶圓近(jìn)期正式量産出貨，從(cóng)破土(tǔ)動工(gōng)到(dào)正式出貨僅花(huā)20個(gè)月(yuè)。台積電(diàn)南(nán)京廠(chǎng)是(shì)目前中國(guó)大(dà)陸工(gōng)藝最領先進的(de)晶圓代工(gōng)廠(chǎng)，規劃月(yuè)産能(néng)為(wèi)2萬片，但(dàn)外(wài)界預估其有(yǒu)擴充到(dào)每月(yuè)6萬片的(de)空(kōng)間(jiān)。
      點評：台積電(diàn)南(nán)京12英寸廠(chǎng)的(de)快(kuài)速建設與量産出貨，對(duì)中國(guó)大(dà)陸本土(tǔ)廠(chǎng)Foundry廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，無疑具有(yǒu)極大(dà)的(de)競争壓力。畢竟對(duì)手就(jiù)在卧榻之側，還(hái)是(shì)那(nà)麽強悍的(de)一(yī)個(gè)對(duì)手。希望中國(guó)大(dà)陸本土(tǔ)廠(chǎng)Foundry廠(chǎng)能(néng)将壓力換成動力，加油拼搏，盡快(kuài)實現(xiàn)14納米，并把良品率提上(shàng)來(lái)。

      7、三大(dà)礦機(jī)廠(chǎng)商IPO之路(lù)坎坷 産業(yè)轉型成關鍵
      2018年(nián)比特币價格持續下(xià)跌，年(nián)底已跌至3785美(měi)元。比特币跌價、礦機(jī)市(shì)場(chǎng)冷(lěng)清，對(duì)三大(dà)礦機(jī)廠(chǎng)商比特大(dà)陸、嘉楠耘智和(hé)億邦國(guó)際的(de)上(shàng)市(shì)之路(lù)造成重大(dà)影(yǐng)響。比特大(dà)陸IPO申請(qǐng)受到(dào)外(wài)界質疑。嘉楠耘智至IPO申請(qǐng)失效，未能(néng)取得(de)進展。億邦國(guó)際在第一(yī)次上(shàng)市(shì)申請(qǐng)失效後，開(kāi)始第二次申請(qǐng)。
      點評：在啓動IPO之際，三大(dà)礦機(jī)廠(chǎng)商紛紛開(kāi)啓業(yè)務轉型之路(lù)，向人(rén)工(gōng)智能(néng)等新的(de)領域進行(xíng)拓展。在傳統業(yè)務遭遇寒冬之際，抓住AI商機(jī)，迅速打開(kāi)新局面，成為(wèi)三家(jiā)企業(yè)得(de)失成敗的(de)關鍵。

      8、上(shàng)海(hǎi)新昇大(dà)矽片量産銷售 彌補産業(yè)鏈短(duǎn)闆
      2018年(nián)5月(yuè)上(shàng)海(hǎi)新昇表示，其開(kāi)發的(de)12英寸大(dà)矽片實現(xiàn)量産銷售，上(shàng)海(hǎi)華力微(wēi)電(diàn)子(zǐ)已經小(xiǎo)批量采購(gòu)。此後上(shàng)海(hǎi)新昇還(hái)證實其大(dà)矽片亦通(tōng)過了(le)中芯國(guó)際的(de)認證。上(shàng)海(hǎi)新昇12英寸大(dà)矽片目前月(yuè)産能(néng)為(wèi)10萬片，預計(jì)2019年(nián)實現(xiàn)月(yuè)産能(néng)20萬片，2020年(nián)年(nián)底實現(xiàn)月(yuè)産能(néng)30萬片。
      點評：大(dà)尺寸矽晶圓是(shì)集成電(diàn)路(lù)制(zhì)造領域的(de)關鍵材料，也(yě)是(shì)中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)鏈的(de)一(yī)大(dà)短(duǎn)闆。目前中國(guó)大(dà)陸半導體(tǐ)矽片供應商主要(yào)生(shēng)産6英寸及以下(xià)的(de)矽片，具備8英寸矽片生(shēng)産實力隻有(yǒu)兩三家(jiā)，而12英寸矽晶圓則一(yī)直依賴進口。上(shàng)海(hǎi)新昇是(shì)中國(guó)大(dà)陸建設的(de)第一(yī)家(jiā)12英寸矽晶圓廠(chǎng)。

      9、天嶽碳化(huà)矽材料項目開(kāi)建 項目分(fēn)兩期建成
      2018年(nián)11月(yuè)13日(rì)，天嶽碳化(huà)矽材料項目開(kāi)工(gōng)建設。這(zhè)是(shì)國(guó)內(nèi)最大(dà)的(de)寬禁帶半導體(tǐ)碳化(huà)矽材料項目及成套工(gōng)藝生(shēng)産線。項目分(fēn)兩期建設：一(yī)期主要(yào)生(shēng)産碳化(huà)矽襯底，預計(jì)年(nián)産值可(kě)達13億元;二期主要(yào)生(shēng)産功能(néng)器(qì)件(jiàn)，包括電(diàn)力器(qì)件(jiàn)封裝、模塊及裝置，新能(néng)源汽車(chē)及充電(diàn)站(zhàn)裝置、軌道(dào)交通(tōng)牽引變流器(qì)等，預計(jì)年(nián)産值達50億～60億元。
      點評：碳化(huà)矽是(shì)目前發展最成熟的(de)寬禁帶半導體(tǐ)材料，應用(yòng)範圍正在逐漸擴大(dà)。在智能(néng)電(diàn)網、電(diàn)動汽車(chē)、軌道(dào)交通(tōng)、新能(néng)源并網、工(gōng)業(yè)電(diàn)機(jī)以及家(jiā)用(yòng)電(diàn)器(qì)等領域發揮重大(dà)作(zuò)用(yòng)。國(guó)際領先企業(yè)已經開(kāi)始部署市(shì)場(chǎng)，我國(guó)不(bù)應錯(cuò)失這(zhè)次産業(yè)升級的(de)機(jī)會(huì)，應建立從(cóng)材料、器(qì)件(jiàn)、模塊到(dào)應用(yòng)全鏈條的(de)自(zì)主保障能(néng)力。

      10、RISC-V受關注 行(xíng)業(yè)認可(kě)度提升
      2018年(nián)RISC-V受到(dào)國(guó)內(nèi)學術(shù)界與産業(yè)界的(de)廣泛關注，行(xíng)業(yè)認可(kě)度快(kuài)速提升，湧現(xiàn)出一(yī)批RISC-V創新力量，包括杭州中天微(wēi)、北(běi)京君正、華米科(kē)技(jì)和(hé)芯來(lái)科(kē)技(jì)等。地(dì)方政府也(yě)将RISC-V相(xiàng)關設計(jì)和(hé)開(kāi)發公司作(zuò)為(wèi)扶持對(duì)象。
      點評：發展自(zì)主知(zhī)識産權、掌握核心技(jì)術(shù)已經成為(wèi)人(rén)們對(duì)我國(guó)集成電(diàn)路(lù)産業(yè)發展的(de)共識，RISC-V為(wèi)我們提供了(le)一(yī)條除x86與ARM架構之外(wài)的(de)新選擇。但(dàn)應避免一(yī)窩蜂、炒熱(rè)點，真抓實幹才是(shì)成功的(de)基礎。